用語集 A-Z

0-1

1xEV-DO

  • 1x evolution data only

第3世代の携帯電話方式「CDMA2000 1x」をさらにデータのパケット通信を高速化して拡張した通信規格。「CDMA2000 1xEV-DO」という。CDG(CDMA Development Group)が中心となって開発。

3次元回路素子

  • three-dimensional circuit device

平面的なICを立体的に積み重ねた構造の超高集積電子デバイス。通常のIC の上に絶縁層を設け、その上にシリコン単結晶を成長させ、この結晶層に新たなICを形成する。これを何層にも繰り返し、各層間の配線をつなぐ。

3GPP

  • Third Generation Partnership Project

第3世代(3G)携帯電話システムの仕様検討・作成を行う標準化プロジェクト。1998年12月、アメリカ、ヨーロッパ、日本、韓国といった各国・各地域の通信標準化団体が基になって結成され、後に中国も加わった。

A

AAC

  • advanced audio coding

映像圧縮規格MPEG-2やMPEG-4 で使われるオーディオ圧縮方式の中の一方式で、BSデジタル放送の音声規格に採用されている。 MP3 の70 %程度のデータ量で音楽CDなみの音質を実現している。  → MP3、MPEG

A-D 変換器

  • analog to digital converter

アナログ-デジタル変換器。A-Dコンバータともいう。アナログ信号をデジタル信号に変換する回路。  → D-A変換器

ADSL

  • assymmetric digital subscriber line

 ⇒ xDSL

ALU

  • arithmetic logical unit

算術論理演算回路。マイクロコントローラ(MCU)やマイクロプロセッサ(MPU)を構成する部分の一つで加算、減算などの数値演算およびAND、OR、一致などの論理演算を行う。

API

  • application programming interface

アプリケーション・プログラムを記述するときに、OSの機能などを呼び出すためのインタフェース。OSで用意された命令や関数の集合またはそれらを利用するためのプログラム上の手続き。  → OS

ArFエキシマレーザ

  • argon fluoride excimer laser

 ⇒ エキシマレーザ

ASCP

  • application specific custom product

ASIC の一つ。特定顧客向けの特定用途IC。カスタムICともいう。これには、フルカスタムICとセミカスタムICがある。後者には、ゲートアレイ、セルベースICなどがある。一般的にASCPをASICと表現するケースが多い。  → ASIC、ASSP、カスタムIC、ゲートアレイ、セルベースIC

ASIC(エーシック)

  • application specific integrated circuit

特定用途向けIC。ASIC の定義は多様である。広義のASIC では特定用途向けに専用機能をもつIC(ASCP、ASSP)をすべて含める。大規模なASICをシステムLSIという場合もある。一般には狭義に解釈する場合が多く、ユーザ固有の仕様をもつ専用ICを指し、ゲートアレイやセルベースIC、PLDなどのICが代表的製品である。  → ASCP、ASSP、PLD、汎用IC

ASSP

  • application specific standard product

特定用途向け専用標準IC。ASIC の一つ。半導体メーカが主体となり、各応用機器向けに特化して設計・開発がなされ、標準ICとして、複数ユーザを対象として出荷されるIC。  → ASCP、ASIC、PLD、汎用IC

ATPG

  • automatic test pattern generation

 ⇒ 自動テストパターン生成

ATRAC

  • adaptive transform acoustic coding

MD(ミニディスク)などに採用されている音声圧縮技術。データ量を1/5程度に圧縮するので、記憶容量が約140MバイトのMDでCD1枚分の楽曲を記録することができる。その後、圧縮・再生方式に改良が加えられている。  → MD

B

B/Bレシオ

  • book-to-bill ratio

出荷金額に対する受注金額の比率(B/B 比)をいう。

BD

  • Blu-ray Disc

「ブルーレイディスク」の略称。記録密度を上げるために、発振波長の短い(405nm:青紫色)の半導体レーザを用い、レンズの開口率を上げることで、DVDの5倍以上の記録容量(1層25Gバイト、2層で50Gバイト)を実現している。大きさ(直径12cm、厚さ1.2mm)はCDやDVDと共通である。多くのBlu-ray Disc対応機器(レコーダ、プレーヤ)は、ピックアップが3波長化されており、CDやDVDが再生(または記録)できる。1層のディスク(25Gバイト)で、地上デジタル放送(1440×1080i、 16.8Mビット/秒)クラスなら3時間強、BSデジタル放送(1920×1080i、 24Mビット/秒)クラスで2時間強のハイビジョン映像を収録することが可能となった。  → DVD

BGA

  • ball grid array

表面実装型パッケージの一つ。プリント配線基板に表面実装できるように、パッケージ本体のベース(底)面に金属ボールまたは金属バンプを一定の間隔で格子状に並べて外部端子としたパッケージ。  → SMT、バンプ

Bi-CMOS(バイシーモス)

  • bipolar complementary metal-oxidesemiconductor

CMOSとバイポーラトランジスタの長所を組み合わせた半導体デバイス。CMOSは低消費電力、高集積に有利だが、出力電流が小さい。一方バイポーラトランジスタは動作速度が速いが、消費電力が大きい。そこで、デジタル信号処理を行う大規模な論理回路にCMOS技術を、高速または大出力が必要な部分にバイポーラ技術を使ったIC。  → ミックスドシグナル、アナデジIC

BIST(ビスト)

  • built-in self-test

組み込み自己テストともいう。IC内部にテストを行う機能を取り込んでいるため、高速・多ピンICの検査が容易になる。  → テスト容易化設計

Bluetooth(ブルートゥース)

  • Bluetooth

2.4GHz帯のISM(Industrial Scientific and Medical)バンドを使う携帯情報機器向けの短距離無線技術。双方向で最大伝送速度はVer.1.2が1Mビット/秒、Ver.2.0+EDR では3Mビット/秒になる。通信距離は、クラスによって異なり、1、10、100m(最大値)のものがある。スペクトラム拡散通信の周波数ホッピング方式(SS-FH)を使う。携帯電話機のハンズフリー用などに使われている。  → ISM、 EDR

BOPS(ボップス)

  • billion operation per second

デジタル信号処理を行うプロセッサなどの性能指標に用いられる単位。1 秒間に実行できる処理の基本単位の数を示す。billion= 10億。  → MIPS、MOPS

C

C 言語

  • C language

広く普及しているコンピュータ用プログラミング言語の一つ。1973年に米AT&T社ベル電話研究所がUNIX(OSの一種)を記述するために開発した。ICの設計にも採用され、最近ではC++が普及している。

CAD(キャド)

  • computer aided design

コンピュータを利用した設計システム。ICの最適設計をコンピュータの支援によって効率よく進める技術をいう場合は、EDA(Electronic Design Automation)ともいう。  → CAE、CAM、EDA

CAE

  • computer aided engineering

コンピュータの支援によって設計を行う手法、技術。CADとほぼ同一の意味で使用される。  → CAD、CAM、EDA

CAM(キャム)

  • computer aided manufacturing

コンピュータの支援によってシステム(機器)製造の生産性・信頼性を高める自動化技術。CADによって数値化されたマスタデータとテストデータによって製造におけるプロセスデータを設定し実行させる。CADとCAM はお互いに密接な関連があり、設計から製造まで一貫したコンピュータ利用システムとする場合にはCAD/CAMという。  → CAD、CAE、EDA

CAN(キャン)

  • controller area network

車内LANの標準インタフェース規格の一つ。耐ノイズ特性を意図して設計され、エンジンの回転数、ウィンドウのスイッチなどの制御情報に使用されている。伝送速度は最大1Mビット/秒。  → FlexRay?、IDB1394、LIN、MOST

CAS(キャス)

  • conditional access system

有料放送サービスに用いられる限定視聴制御方式。視聴するためには、資格を得る必要があり、それを証明するもの。日本では 衛星デジタル放送(BS/CS)、地上デジタル放送(ワンセグを除く)などで使用される「B-CASカード」やCATVで使用される「C-CASカード」などがある。

CB-IC

  • cell based integrated circuit

 ⇒ ASIC、セルベースIC

CCD

  • charge coupled device

電荷結合素子。シリコン基板表面の酸化膜上に多数の伝送電極が配列されたMOS構造のデバイスで、自己走査機能と記憶機能をもつ。フォトダイオードと組み合わせたエリアセンサ(固体撮像素子)、リニアセンサおよび信号遅延素子などの製品がある。  → CMOSイメージセンサ

CDMA

  • code division multiple access

符号分割多元接続。複数の音声信号ごとに符号を乗算し一つの周波数で送るため、従来の携帯電話の多重化方式であるFDMA(周波数分割多元接続)やTDMA(時分割多元接続)と比べ、周波数帯域の利用効率が高い。第3世代携帯電話の標準方式。  → FDMA、TDMA、W-CDMA

cdma2000

  • cdma2000

米QUALCOMM社などを中心とするCDG(CDMA Development Group)が開発した第3 世代の携帯電話の通信方式。「cdmaOne」(IS-95)の後継である。  → CDMA、IMT-2000

CISC(シスク)

  • complex instruction set computer

複合命令セットコンピュータ。ソフトウェア作成を簡単化するために多種多様な処理に対する命令セットを多くもち、機能や命令をハードウェアで実行させるようにしたコンピュータ(MPU)。一方,複雑な命令のため命令実行速度の向上が阻害される面もある。パソコンなどの汎用MPU の主流となっている。  → RISC、VLIW

CMOS(シーモス)

  • complementary metal-oxide-semiconductor

相補型MOSともいう。nMOS FETとpMOS FETの両方を対にして相補型回路を構成したMOS デバイス。低消費電力で動作電圧範囲が広く対雑音特性にも優れている。現在、IC のほとんどがCMOSとなっている。

CMOS標準ロジック

  • CMOS standard logic

TTL(Transistor Transistor Logic)と同じように品種も豊富で広く使用されているCMOS のロジックICファミリ。この汎用ファミリには、NANDやNORのようなゲート、フリップフロップなどのほか、バイポーラ高速ロジックICに匹敵するような高速CMOS標準ロジックが商品化されている。

CMOSイメージセンサ

  • CMOS image sensor

CMOS(相補性MOS)を用いた固体撮像素子。CCDイメージセンサ(撮像素子)と同様に、フォトダイオード(PD)を使用する。製造プロセスと信号の読み出し方法が異なる。単位セルごとに増幅器をもつことで、光変換された電気信号の読み出しによる電気ノイズの発生が抑えられる。CMOSロジックICのI製造プロセスの応用で大量生産が可能なため、高電圧アナログ回路をもつCCDと比較して安価であり、素子も小さくでき、消費電力も少ない。原理的にスミアやブルーミングが発生しないという長所がある。  → CCD

CMP

  • chemical mechanical polishing

化学的機械的研磨。ウェハ表面の平坦化、プラズマエッチングやRIE(Reactive Ion Etching)などの材料除去プロセス、また銅のデュアルダマシン法による配線形成などに使われる。物理的な研磨だけによるシリコンウェハへの損傷を低減するために化学的反応も用いる。平坦化技術という意味でChemical Mechanical Planarizationという場合もある。  → RIE、ダマシン法、平坦化技術

CODEC

  • coder decoder

 ⇒ コーデック

COP

  • crystal originated particle

シリコン結晶欠陥の一つ。シリコン単結晶で格子点にシリコン原子がない個所、すなわち「空孔」が集まった微小な欠陥。微細化の進展にともない、完全結晶の必要性が求められている。

CPU

  • central processing unit

中央演算処理装置。マイクロプロセッサ(MPU)やマイクロコントローラ(MCU)の中枢部分で、プログラムメモリ(ROM)から命令を読み出し、その命令に従ってデータ伝送や算術・論理演算などを実行する。データや命令、ステータスなどをストアするレジスタ、プログラムカウンタやスタックポインタなどの専用レジスタ、命令デコーダや演算を実行するALU、アキュムレータなどからなる。  → MCU、MPU

CPUコア

  • CPU core

加算や乗算などの基本演算を実行する装置であるCPU(central processing unit)と複数の周辺モジュールを集積したモジュールのこと。マイクロプロセッサ内部の一つのモジュールとしてCPUコアと呼ぶ場合が多い。  → モジュール

CS

  • commercial sample

 ⇒ コマーシャルサンプル  → ES

CSP

  • chip scale package、 chip size package

半導体チップサイズとほぼ同等の外形サイズのパッケージ。携帯機器など電子機器の小型軽量化を実現する。CSP にはワイヤボンド型CSP、セラミック型CSP、スルーホール型CSP、μBGA型CSPなどがある。いずれも外部電極を底面にグリッド(格子)状に配置し、外形サイズを極力チップサイズに近づけるような構造になっている。  → TAB

CVD

  • chemical vapor deposition

化学的気相成長法。ウェハ上に薄膜を形成する方法の一つ。配線として用いる多結晶シリコン、表面保護膜や絶縁膜として用いる酸化シリコン、窒化シリコン、PSG(Phospho-Silicate Glass:リン化酸化膜ガラス)など、形成したい薄膜の構成元素をもった気体をウェハ上に流し、その表面で化学反応を起こさせて薄膜を形成する。①エネルギー源(熱CVD 法、光CVD 法、プラズマCVD 法)、②成膜圧力(常圧CVD:AP-CVD、減圧CVD:LP-CVD)、③反応方式(有機金属化学気相成長法:MO-CVD)などに分類できる。  → PVD、気相成長

D

D-A 変換器

  • digital to analog converter

デジタル-アナログ変換器。D-Aコンバータともいう。デジタル信号をアナログ信号に変換する回路。  → A-D変換器

DC-DC電源

  • DC-DC Power Supply

バッテリなどの直流電源から異なる直流電圧を発生する電源。ある直流電圧を高周波の交流に変換し、それをふたたび異なる電圧の直流に変換(DC-DCコンバータ)する。

DDR-SDRAM

  • double-data-rate synchronous dynamic random access memory

ダブルデータレート(DDR)モードという高速なデータ転送機能をもったSDRAM。同期を取るためのクロック信号の立ち上がり時と立ち下がり時の両方でデータの読み書きが行なえるようにしたもの。通常の倍の転送速度が実現できる。  → DRAM

DFM

  • design for manufacturability

製造容易化設計。設計の段階から、製造プロセスで生じる問題点を把握し、これを考慮して設計する考え方。半導体製造プロセスで生じる問題を設計の段階で事前に解決すること。

DFT

  • design for testability

 ⇒ テスト容易化設計

DIMM(ディム)

  • dual in-line memory module

DRAMなどを複数個、基板に実装したJEITA(旧JEDEC)規格のメモリモジュール。64ビット単位でデータの読み書きを行うため端子の数が多い。SIMM(Single Inline Memory Module)が表と裏の端子が結線されているのに対し、DIMMはそれぞれが独立している。  → SIMM

DIP

  • dual in-line package

ICパッケージの一つ。リード線がパッケージの対向する両側面から出ており、L 字型に曲げられ、下に真直ぐ伸びている。基板挿入型の実装に用いる。

DMA

  • direct memory access

システムのCPUを介すことなく、デバイスとメモリ、メモリとメモリ間のデータ転送を行なう方法。

DNAコンピュータ

  • deoxyribonucleic acid computer

遺伝子であるDNA(デオキシリボ核酸)の特性を生かしたコンピュータ。ビット列を順番に読んで演算するのではなく、生化学反応を利用して複雑な計算を効率的に演算処理する。

DRAM(ディーラム)

  • dynamic random access memory

揮発性メモリの一つ。記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ。メモリセルはトランジスタ1 個とキャパシタ(コンデンサ)1 個で構成され、情報の記憶はキャパシタに蓄えた電荷の有無によって行う。この電荷はリーク(漏れ)電流によって時間の経過とともに消えるため、一定時間ごとに情報を読み出して再度書き込みを行う必要がある(リフレッシュ動作)。電源を切ると記憶情報は消滅する。一般的な汎用メモリとして、広範囲に利用されている。  → SRAM

DRC

  • design rule check

マスクデータを検証するEDAソフトウェア。マスク設計基準(design rule)に対して、マスクレイアウト(マスクデータ)が違反、あるいは好ましくない個所の検出や確認に使用される。  → EDA、設計基準

DRM

  • digital rights management

 ⇒ デジタル著作権管理

DSL

  • digital subscriber line

デジタル加入者線。  ⇒ xDSL

DSP

  • digital signal processor

乗算器を内蔵し、積和演算機能をもつデジタル信号処理専用の1 チップマイクロプロセッサ。浮動小数点演算が可能であり、音声デジタル信号処理や動画像処理などに適している。  → 浮動小数点

DSRC

  • dedicated short range communication

専用狭域通信。ITS( Intelligent Transport System)では、この通信方式を用いて、路側に設置された無線装置(路側機)と、車両に搭載された無線装置(車載器)との間で無線通信を行う。ETC(Electronic Toll Collection)はITSの一種。  → ITS

DUT

  • device under test、design under test

一般的にはテストされるIC(device)を指す。この被試験ICを装着し、試験に必要な信号を伝達するボード類をDUTボードと総称する。また、回路検証においては検証対象となる回路(design)を指すこともある。

DVD

  • digital versatile disc

デジタルデータの記録媒体である光ディスクの一種。形状やデータの記録・読み取り方式はCD(コンパクトディスク)とほぼ同じだが、記録容量ははるかに大きく、CDでは不可能だった長時間映像の記録ができることが特徴である。ビデオテープに並ぶ映像記録の主要メディアに位置づけられており、映画やドキュメンタリー、ドラマなどさまざまな映像ソフトが市販されている。 →BD

E

EB 露光

  • electron beam exposure

 ⇒ 電子ビーム露光

EC

  • electronic commerce

電子商取引。ネットワーク上の商取引のため、安全性の確保が非常に重要である。

ECA

  • embedded cell array

エンベデッドセルアレイ  → ASIC

ECALS

  • electoronic computer aided acquisition and logistics support

半導体や電子部品の電子商取引を目指すための標準化活動および標準。2005 年にECALS委員会とEDIセンターが統合し、「JEITA ECセンター」となった。「Electronic Commerce Alliance Logistics Support」と表記されることもある。データ形式はXML/EDIの標準仕様「ebXML」に準拠している。  → EDI

Echonet(エコーネット)

  • energy conservation and homecare network

「Energy Conservation」(エネルギー節約)と「Homecare(在宅介護) Network」 の頭文字をとったもの。「エコーネットコンソーシアム」が提唱する家電機器の制御を行うための宅内ネットワーク規格。電力線、赤外線、Bluetooth、イーサネットなどの媒体が利用でき、通信回線と繋がったゲートウエイを介して住宅外からの機器制御が可能となる。  → Bluetooth、イーサネット

ECL

  • emitter coupled logic

CML(Current Mode Logic)ともいう。バイポーラロジックIC の一つ。トランジスタを非飽和領域で動作させるので非常に高速な論理動作が可能であるが、消費電力が大きい。大型コンピュータの論理演算部や高速メモリに使用される。

EDA

  • electronic design automation

電子回路設計用のCAD(Computer Aided Design)。論理シミュレーション、回路解析、デバイス解析、配置・配線設計、マスクパターン作成、テストパターン作成などの各ステップでEDAツールが使われる。システムLSI(SoC)のような大規模、複雑なICの開発には欠くことができないツール(ソフトウェア)である。  → CAD、CAE

EDI

  • electronic data interchange

企業間電子データ交換。企業間で受発注や請求・支払いなどの商取引データを、ネットワークを介してコンピュータ間で直接やり取りをするための標準規約。米国の運輸データ調整委員会が標準化したデータ交換の規約。  → ECALS

EDIF

  • electronic design interchange format

IC設計の各設計工程結果を表現する標準言語。EIA(Electronic Industries Association)の責任の下に作成されており、ICの回路図、ネットリスト、テストパターンなどを表現する。  → ネットリスト

EDO

  • extended data out

DRAM のデータ入出力を高速にするメモリ動作モードの一つ。古くはページモード、スタティックコラムモードなどがある。4M ~ 16MビットDRAM でEDO モードが採用され、100M ~ 200M バイト/秒のデータ伝送速度を実現した。16MビットDRAMからはシンクロナスDRAM(SDRAM)が採用され、データ伝送速度200M ~ 600M バイト/秒を実現した。64MビットDRAM ではさらに高速なDRAMとしてSDRAM やラムバスDRAMなどが登場した。  → ラムバスDRAM

EDR

  • enhanced data rate

BluetoothのVer.2.0から採用されたデータ通信速度拡張の方式。EDRでは、変調方式(GFSK、π/4DQPSK、8DPSK)を切り替えることによって、データ通信速度を向上させている。  → Bluetooth

EEPROM(イーイーピーロム)

  • electrically erasable programmable read only memory

E2PROM(イースクェアピーロム)ともいう。電気的に記憶内容の書き込みや消去が可能な不揮発性メモリ。消去のために紫外線が必要なUV-EPROMと異なり、ボードに実装したまま書き換えができるので使いやすいのが特徴である。  → EPROM、フラッシュメモリ

EL

  • electroluminescence

 ⇒ エレクトロルミネッセンス

EMC

  • electromagnetic compatibility

電磁環境適合性。電子機器が雑音を発生して他の機器に妨害を与えたり、逆に他の機器による雑音のために誤動作したりしないこと。他を妨害するものがEM I(電磁妨害)であり、外部雑音に対する強さがイミュニティ(耐雑音障害性)である。  → EM I

EMI

  • electromagnetic interference

電磁妨害または電磁干渉。電子回路から導線を伝わる信号が電磁波となって空中に飛び出したり、電源ラインや接地ラインに信号が漏れたりする。これが他の電子回路に侵入して誤動作や障害を起こすこと。電子機器の性能に障害を与える電磁エネルギーのことをいう場合もある。  → EMC

EMS

  • electronics manufacturing service

電子機器の製造を請負うサービス。

EOT

  • equivalent oxide thickness

酸化膜換算膜厚。実際の物理的な膜厚を、SiO2の酸化膜厚に換算した値のこと。例えば、絶縁膜としてSiO2よりも誘電率の高い膜(High-k膜)を使うと、物理的な膜厚が大きくでき、リーク電流を減らすことができる。一方、その膜厚をSiO2に換算すると、微細化のスケーリング則に応じた薄膜化を実現したことになる。  → SiO2、High-k、スケーリング則

EPG

  • electronic program guide

電子番組表。電子番組ガイドともいう。映像信号に番組表データを重畳し、テレビの画面に番組表を表示する方式と、テレビにつないだインターネット端末を利用する方式とがある。

EPROM(イーピーロム)

  • erasable and programmable read only memory

記憶内容が電気的に書き込み可能で、紫外線を当てて消去が可能な不揮発性メモリ。紫外線を照射するために、ICパッケージには石英ガラスの窓がある。記憶の消去は全ビット一括。窓のない通常パッケージに実装したものをOTPROM(One Time PROM)という。  → EEPROM

ES

  • engineering sample

 ⇒ エンジニアリングサンプル  → CS

ESL

  • electronic system level

電子機器システムの動作を表現し設計するレベルのこと。RTLよりも抽象度の高いレベルを意味し、C/C++などの高級言語を使って設計する。通常ESL設計とかESLツールという形で使われる。  → RTL

ETC

  • electronic toll collection system

国土交通省が推進する高度道路交通システム(ITS)の一種、ノンストップ自動料金収受システム。  → DSRC、ITS

EU Reach規則

  • Registration, Evaluation, Authorisation and Restriction of Chemicals

2006年12月18日に欧州閣僚理事会での採択を受け、2007年6月1日に施行された(2008年12月1日で予備登録は終了)。EU内で年間1トン以上生産または輸入される化学物質は設定された期間内に化学品庁(ECHA)へ登録されることが必要となる(No Data No Market)。半導体は成形品であり、また意図的に放出される化学物質を含まないことから登録の義務はない。しかし、高懸念物質(SVHC)の含有状況によって、情報伝達や当局への届出の義務があり、サプライチェーン内での円滑な情報交換が求められている。

EUV

  • extreme ultra violet

極端紫外線。光の中で紫より短い波長の光を紫外線と呼ぶ。大気によって吸収されはじめる波長200nmから0.2nmの波長域を真空紫外(VUV)域、透明な固体結晶がなくなる105nm以下の波長域を極端紫外(EUV)域と呼ぶ。0.2 ~ 30nmは軟X 線域とも呼ぶ。EUVリソグラフィは、波長13nm の極端紫外線を用いて縮小投影露光を行う。  → リソグラフィ

EV

  • electric vehicle

 ⇒電気自動車

F

F2エキシマレーザ

  • fluorine excimer laser

 ⇒ エキシマレーザ

FA

  • factory automation

コンピュータ制御技術を用いて工場を自動化する総称的な概念。また自動化に使われる機器のことをいう。

FCV

  • fuel cell vehicle

 ⇒ 燃料電池自動車

FDMA

  • frequency division multiple-access

周波数分割多元接続。各周波数帯域を各局(またはチャネル)ごとに割り当てて、複数の局が同時に通信する方式。  → CDMA、TDMA

FeliCa?(フェリカ)

  • FeliCa?

「Felicity」と「Card」を組み合わせた造語(登録商標)。非接触型ICカードのための通信技術として開発された。電源はリーダライタからの電波を電磁誘導によって得る。信号の変調方式はASK(10%)で、マンチェスタ(Manchester)符号を採用している。  → ICカード

FeRAM (FRAM)(エフイーラム)

  • ferroelectric random access memory

FRAMともいう。強誘電体メモリまたは強誘電体不揮発性メモリ。電界を加えなくても電荷が残る(自発分極)性質をもつ強誘電体をメモリセルに利用した不揮発性RAM。電源を切ってもデータ内容を保持できる。EEPROMと比較してデータの書き換え時間は短く、書き換え可能回数も桁違いに多い。

FIB

  • focused ion beam

集束イオンビーム。イオンビームと試料の相互作用によって顕微鏡、加工(研磨)、堆積(デポジション)、イオン注入などの機能を実現する。イオン源にはガリウム(Ga)などがある。たとえば、ビーム径を5 ~ 10nmに集束させた装置は、フォトマスクのパターン修復やIC の不良個所の解析、高分解能観察、MEMSなどの微細加工などに利用されている。  → MEMS、イオン打ち込み、イオンビーム

FIFO(ファイフォ)

  • first-in first-out

先入れ先出し方式のこと。記憶装置などからデータを取り出すとき、先に入れた情報から取り出す方式。これと反対の方式をLIFO(Last-in First-out)という。

FIT(フィット)

  • failure in time

信頼性を表す尺度。故障率の単位。1FITは、1時間当たり10億個に1個の故障発生率、または1万時間(約1年間)当たり10万個に1個の故障発生率に相当する。1FIT=10-9(件/時間)。

FlexRay?

  • FlexRay?

制御系車内LANインタフェース規格。柔軟性があり、信頼性が高く、主に自動車の走行制御に直接関与するシステムに向けた次世代X-by-Wireシステム用の車載LANプロトコルとして開発されている。「FlexRay? Consortium」が規格を策定している。データ伝送速度は最大10Mビット/秒。  → CAN、LIN、MOST

FLOPS(フロップス)

  • floating-point operations per second

1秒間に処理できる浮動小数点演算回数を示す単位。通常は100万回単位(MFLOPS)で示す。10億回(GFLOPS)を単位にすることもある。  → BOPS、MIPS、MOPS、浮動小数点

FOUP(フープ)

  • front opening unified pod

ウェハカセットの搬送・保管用のケース(ポッド)。「局所クリーン化技術」の一つ。SMIFがポッド内のウェハカセットの出し入れを上下に行うのに対して、FOUPは前後に出し入れする。  → SMIF、クリーンルーム

FPD

  • flat panel display

薄型の表示素子構造をもつディスプレイのこと。主なものに、液晶型とプラズマ型がある。有機EL型と電子ペーパーの開発が活発化している。  →液晶、PDP、有機EL

FPGA

  • field programmable gate array

PLD(Programmable Logic Device)の一つ。ユーザが手元でプログラム可能なセミカスタムIC。CPUやDSP、無線アクセス用のトランシーバを内蔵した製品などもある。開発期間が短くできるので、試作品だけでなく、最終製品にも利用されている。プログラム可能な論理モジュールを規則的に並べ、その間を結線(プログラム)することで論理回路を実現する。プログラムの方法は、SRAMセル方式、EPROM方式、アンチフューズ(導通フューズ)方式、フラッシュEEPROM内蔵方式がある。  → PLD

FTA

  • Free Trade Agreemnt

2国間または地域間で自由貿易を行い、域内の貿易を活性化させることを目的とした協定で、WTOを補完するものとされる。

FTTH

  • fiber to the home

光ファイバによる家庭向けのデータ通信サービス。現在、数十~ 1Gビット/秒程度の高速アクセスサービスが実現されている。

G

g 線ステッパ

  • g - line stepper

 ⇒ ステッパ  → リソグラフィ

GaAs IC

  • Gallium Arsenide integrated circuit

ガリウムひ素(GaAs)単結晶を基板としたIC。GaAsは、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の代表的な材料で、結晶内の電子の動き(移動度:Mobility)がシリコン(Si)に比べて5 ~ 6 倍も速く、超高速・超高周波デバイスに適している。

GaN

  • Gallium nitride

窒化ガリウム。Siと比較して破壊電界強度が約10倍、飽和ドリフト速度が2倍以上となり、高耐圧化、低損失化、高周波動作などの面で物理的に従来のSiよりも優れる性質をもつ。

GATT

  • General Agreement on Tariff and Traide

1948年に発足した関税と貿易に関する一般協定。各国政府による交渉によって、関税などの貿易障壁を削減、撤去する国際協定。

GMR

  • giant magnetoresistance

巨大磁気抵抗効果。HDD ヘッドに広く使われている。磁場をかけたときの電気抵抗変化(磁気抵抗効果:MR)が従来の単体物質に比べて大きく変化することから命名された。基本構造は強磁性体―常磁性金属―強磁性体の多層膜。  → MRAM、TMR

GPS

  • global positioning system

全地球測位システム。地球上の現在位置を調べるための衛星測位システム

GSM

  • global system for mobile communication

ETSI (European Telecommunications Standard Institute:欧州電気通信標準化協会)が標準化したTDMA(時分割多元接続)方式のデジタルセルラー電話システム(第2 世代方式)。国際ローミング機能やSIM(subscriber identity module)カードを導入している。アジアなどのヨーロッパ以外の地域でも普及が進んでいる。

GUI

  • graphical user interface

文字やテキスト情報だけでなく、図やイメージをなどを利用してユーザの操作性を向上させるインタフェースのこと。

H

HAVi (ハヴィ)

  • home audio/video interoperability

家庭内ネットワークに接続するAV 機器のミドルウェア仕様。ネットワークにはIEEE1394が使われる。  → IEEE1394

HBT

  • heterojunction bipolar transistor

SiGe?とSi、GaAsAlGaAs?など異種の半導体接合(へテロ接合)を利用したバイポーラ・トランジスタの素子構造の一つ。電流増幅率を落とさずに動作速度を向上することができるため、携帯電話機や無線LANのパワー・アンプなどに用いられる。

HDCP

  • high-bandwidth digital content protection system

著作権保護技術の一つ。ハイビジョン映像等伝送するためのDVIやHDMIのデジタルインタフェースに用いられる。伝送信号を暗号化することで保護する。Digital Content Protection LCCがライセンス管理している。  → HDMI

HDL

  • hardware description language

 ⇒ ハードウェア記述言語

HDMI

  • high definition multimedia interface

家電やAV 機器向けのデジタル映像/音声入出力インタフェース規格。2002年12月に策定された。パソコンとディスプレイの接続に使われるDVI(Digital Visual Interface)を発展させた規格。シリアル伝送方式TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)を採用しており、1 本のケーブルで映像・音声・制御信号を合わせて送受信する。

HDTV

  • high definition television

高精細テレビ。「ハイビジョン」ともいう。現在のテレビ(NTSC 方式など)よりも走査線の数を増やして画質を向上させたテレビ方式の総称。NTSC方式は走査線が525 本、画面の縦横比が3対4であるのに対して、HDTV では走査線数が1125 本または1250 本、画面の縦横比は9対16の横長のサイズである。

HEMT(ヘムト)

  • high electron mobility transistor

高電子移動度トランジスタ。ガリウムひ素(GaAs)などの化合物半導体をヘテロ接合(2種類の異なった半導体材料の接合)し、その接合面を電子が高速移動する性質を利用した超高速トランジスタ。シリコン(Si)を使った半導体よりはるかに動作速度が速い。衛星放送受信機、携帯電話などの高周波増幅素子などに使われる。

HEV

  • hybrid electric vehicle

ハイブリッド自動車のこと。エンジンとモータの2つの動力源をもち、それぞれの利点を組み合わせて駆動することで、低燃費(省エネルギーと低公害)を実現する。

High-k

  • high-dielectric-constant film

高誘電率膜。SiO2などに比べて非常に大きい誘電率をもつ誘電体薄膜。微細化が進むIC の小型キャパシタやメモリセルの材料として開発が進んでいる。ハフニウム(Hf)系材料などがある。

HSDPA

  • high speed downlink packet access

 ⇒ 3GPP

HTPS

  • high temperature poly-silicon

高温で作成した多結晶シリコン。TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を形成するシリコン薄膜を、比較的高温で多結晶化することで、電子の移動度(モビリティ)を高めることができる。プロジェクタに用いられるアクティブマトリクス駆動方式の透過型LCD(液晶ディスプレイ)に採用されている。  → LTPS、TFT

I

i 線ステッパ

  • i - line stepper

 ⇒ ステッパ  → リソグラフィ

IBIS(アイビス)

  • input output buffer information specification

半導体デバイスの入出力バッファの電気的特性を、パッケージの電気的特性を含めてモデル化したもの。基板設計のためのシミュレーションモデル。バッファ回路をモデル化し、その動作特性をテーブルで表現している。個別の回路素子の特性と素子間の接続を表現するSPICEに比べて、高速に解析ができる。  → SPICE

ICE(アイス)

  • in-circuit emulator

マイコン(MPU)を搭載したシステム(機器)の開発時に、ソフトウェアのデバッグとハードウェアの動作確認を行う装置。MPUの機能をホストコンピュータからエミュレート(模倣動作)することでデバックを行なう。  → エミュレーション

ICカード

  • IC(integrated circuit)card

ICを埋め込んだカード。電気的な接点をもつ接触型と、接点のない非接触型とがある。  → ISO/IEC7816、 ISO/IEC14443

IDB1394

  • 1394-Automotive

IEEE1394を車載機器間のネットワークに転用した情報系ネットワーク・プロトコル規格。自動車内で映像や音声などのマルチメディアデータを高速に伝送する。「IDB Forum」(ITS Data Bus Forum)と「1394 Trade Association」(1394 TA)が2002年に策定した。最高で400Mビット/秒の速度で通信ができる。  → CAN、FlexRay?、LIN、MOST

Iddq

  • Idd quiescent

CMOS回路の製造工程で発生した欠陥を検出する手法。理想的なCMOS回路は、静止時に電源電流(Idd)が流れないという性質を利用した手法で、IC内部の論理を切り替えながらリーク電流を測定し、故障検出を行なう。

IDE

  • intelligent drive electronics、 integrated drive electronics

主にPC AT互換機と内蔵ハードディスクをつなぐインタフェース。ATA(AT Attachment)ともいう。ANSI(米国規格協会)で1988 年に、ATAとして規格化された。

IDM

  • integrated device manufacturer

垂直統合型半導体メーカ。自社で製造設備を有し、設計、製造、販売、サポートまでを一貫して行う半導体メーカの形態。

IEC

  • International Electrotechnical Commission Engineers

国際電気標準会議。電気・電子分野に関する国際規格統一を目的として設立された標準化団体。現在、ISO 電気通信部門(ISO/IEC)として活動が行われている。  → ISO

IEEE(アイトリプルイー)

  • The Institute of Electrical and Electronics Engineers

米国に本部をもつ電気電子技術の学会。分野は電気、電子、通信、コンピュータなどの分野にまたがる。電子部品、通信用バスコネクタ、LANなどを対象にした標準化活動も推進している。

IEEE1394

  • IEEE1394

音声や動画など連続的なデータの伝送に向くシリアルインタフェース規格。非同期伝送方式をもつ。1995 年にIEEEが正式に仕様を採択した。データ伝送速度は100M、200M、400M、800Mビット/秒がある。電源も供給でき、ホットプラグ(電源を入れたまま抜き差しできる)が可能となっている。  → IEEE、USB

IEEE802.11 規格

  • IEEE 802.11

IEEEで、無線の規格を策定している委員会の名称(IEEE802委員会)。1980年2月に活動が開始されたことにからこの名が付いた。その作業部会の一つが無線LAN関係の規格を策定している「IEEE802.11」がある。ここが担当している標準規格群には、「IEEE802.11b」(2.4GHz 帯、伝送速度11Mビット/秒)、「IEEE802.11g」(2.4GHz 帯、同54Mビット/秒)、「IEEE802.11a」(5.2GHz帯、同54Mビット/秒)があり、また動画や音声などのデータを送るために一定の周波数帯域を割り当てる「IEEE802.11e」、IEEE802.11a を拡張する「IEEE802.11h」、暗号化技術を採用しセキュリティを高めた「IEEE802.11i」、さらに100Mビット/秒以上の伝送速度を実現する「IEEE802.11n」などがある。  → IEEE

IGBT

  • insulated gate bipolar transistor

パワーデバイス分野の代表的素子で、MOS FETとバイポーラトランジスタを組み合わせて1 チップにした素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタともいう。MOS FET でバイポーラトランジスタを制御する構造であるため、MOS FET の大電力制御などの両方の特長を兼ね備えており、汎用モータやインバータ制御機器などのスイッチング素子として用いられる。

IIL

  • integrated injection logic

I2L(アイスクエアエル)ともいう。バイポーラロジックIC の一つ。横型pnpトランジスタと逆接続のnpnトランジスタがn 領域とp 領域を共有した構造。ゲート占有面積が小さく、素子を分離する必要がないために比較的高集積化が可能である。アナログデジタル混在回路内蔵バイポーラIC のデジタル部に使用することが多い。  → アナデジIC、ミックスドシグナル

IMT-2000

  • International Mobile Telecommunication 2000

第3 世代の携帯電話の方式。ITU(国際電気通信連合)が2000 年代からの実用化を目指して規格化を進めてきたデジタル方式移動通信方式。2GHz 帯の周波数帯を使い、最大2Mビット/秒の高速データ伝送速度を実現する。W-CDMA 方式とcdma2000 方式がある。  → cdma2000、W-CDMA

IP

  • intellectual property

設計資産。本来は「知的財産権」(IPR:Intellectual Property Right)の意味だが、これと区別するため、半導体分野ではCPU やメモリ、信号処理回路などICを構成する機能ブロックを「IP」(設計資産)と呼ぶ。IPにはその機能ブロックのハードウェア(論理回路図、ICレイアウト図など)、およびソフトウェア(ドライバソフトウェア、ファームウェア、ミドルウェアなど)がある。ハードウェア回路を「半導体IP」、ミドルウェアなどのIPを「ソフトウェアIP」ということもある。動作が確認されている既設計の回路ブロック(半導体IP)を利用すると、新たに回路を設計するよりも効率的で設計期間が短縮できる。  → IPプロバイダ、VCX

IP

  • internet protocol

インターネットプロトコル。インターネット接続用の通信規約。

I-P 変換

  • interlace to progressive conversion

インタレース-プログレッシブ変換。NTSC 方式など通常のテレビ放送のインタレース走査(飛び越し走査)信号を、プログレッシブ走査(ノンインタレース走査)に変換する方式または回路。プログレッシブ走査では、静止映像も動画映像もチラツキの少ない、きれいな映像表示を再現することができる。  → インタレース、プログレッシブ

IPC

  • instructions per cycle

CPUにおいて、1クロック当たりの命令実行数。

IPv6

  • internet protocol version 6

インターネット上で、コンピュータなどの場所を示す「IPアドレス」の仕様。IPアドレスの表示桁数を128ビットで表記する。これまでのIPアドレスは、32ビットで表記するIPv4(Internet Protocol ver. 4)が使われていた。インターネットの急激な普及によって、IPアドレスの不足が懸念され、IPアドレスの桁数を128ビットに拡大した。2128(3.4 × 10 の38 乗= 340 ×兆×兆×兆)ものアドレスが利用可能となる。ネット家電や自動車、さらにはRFIDなどにもIPアドレスを割り振ることが可能になる。

IPプロバイダ

  • IP provider

半導体IP(Intellectual Property:設計資産)の設計だけを専門に行い、これをICメーカなどへ供給する業態の企業。  → IP

IrDA

  • Infrared Data Association

ノートパソコンや携帯情報端末の間で、赤外線を使ってデータをシリアル伝送するための通信規格またはその標準化団体。

IRドロップ

  • IR drop

V=IR(電圧=電流×抵抗)の式で表されるように、配線内の予期しない抵抗成分によって電源系の信号電圧が降下すること。ICの電源配線が複雑化してきたために問題となってきた。

ISM

  • industrial scientific and medical

産業科学医療用機器のための周波数帯域(バンド)。日本では現在、2.4GHz帯(2.4GHz~2.5GHz)と5.8GHz帯(5.725GHz~5.875GHz)が割り当てられている。空中線電力が小さい無線設備(特定小電力無線局)の場合、TELEC(財団法人テレコムエンジニアリングセンター)の技術基準適合証明を取得すれば無線局免許を必要とせず、だれでもが使用できる。Bluetoothや無線LANもこのISM帯を使う。

ISO

  • International Organization for Standardization

国際標準化機構。国際的標準化を推進する代表的な国際機関の一つで、設立は1947年。

ISO/IEC14443

  • ISO/IEC 14443

非接触ICカードの国際規格。リーダライタとの通信距離によって「密着型」「近接型」「近傍型」「遠隔型」に分けられる。さらに「近接型」は「TypeA」「TypeB」に分けられる。日本では、住民基本台帳カード、社員証カードなどに使われている。  → ICカード、 ISO、 IEC

ISO/IEC7816

  • ISO/IEC 7816

接触型ICカードの国際規格。物理的な形状や電気的特性などの仕様、コマンドやプロトコルなどの必要最小限の部分が標準化されている。そのため業界やサービスに特化した仕様に基づいて、限定受信システム(CAS)用ICカード、銀行用ICカード、ETCカード、携帯電話用USIMカードなどが作られている。  → ICカード、 ISO、 IEC

ISS

  • instruction set simulator

命令セットシミュレータ。コンピュータやマイクロプロセッサ上でコンパイルされたオブジェクトコードを実行し、命令の実行結果や実行に要したサイクル数、レジスタファイルやキャッシュの状態などをシミュレーション(検証)するもの。

ITRS

  • International Technology Roadmap for Semiconductors

国際半導体技術ロードマップ。日米欧韓台の代表が集まり、将来の半導体技術見通しに関する情報や目標実現のための課題などについての検討が行われている。日本では、1998 年にEIAJ(現JEITA)において組織化された。  → STRJ

ITS

  • intelligent transport system

高度道路交通システム。道路交通の情報化によって、安全、円滑、そして人と環境にやさしい道路交通を目指す。その技術の基本は自動車とインフラ側との対話による双方向通信。すでに自動車に直接情報を送る道路交通情報提供システム(VICS)、有料道路での自動料金収受システム(ETC)などが実用化されている。  → DSRC、ETC

ITU

  • International Telecommunication Union

国際電気通信連合。無線通信と電気通信分野において国際標準の策定を目的とする、国際連合の専門機関の一つ。無線通信部門(ITU-R)、電気通信標準化部門(ITU-T)、電気通信開発部門(ITU-D)に分かれる。

J

Java(ジャバ)

  • Java

米Sun Microsystems社がC++をベースとして1995 年に開発したオブジェクト指向型プログラミング言語。Javaで作成したプログラムは、WindowsやMacOSといった特定のOSやパソコンの機種に依存することなく実行できる。実行するためにはインタープリタ(Java virtual machine)が必要となる。

JEDEC(ジェデック)

  • Joint Electron Device Engineering Council

電子デバイス技術合同協議会。米国のユーザとメーカが合同で、IC などの電子デバイスの統一規格(用語、製品の特性や動作、テスト方法、信頼性、パッケージなど)を討議し、標準化を推進する業界団体。

Jini(ジニー)

  • Java intelligent network infrastructure

家庭内ネットワークの通信仕様。Javaの実行環境を実装したAV 機器やパソコン間が容易に接続できる。

JPEG(ジェイペグ)

  • Joint Photographic coding Experts Group

画像圧縮の国際標準方式。現在のデジタルカメラのほとんどは、記録画像のファイル形式にJPEGを使用している。画像を空間周波数列に分解して画像の重要な部分(低周波)を残し、圧縮率に応じてそれほど重要でない部分(高周波)を切り捨てる。このため、圧縮率を高くすると輪郭線がぼやけていく。もともとはカラー静止画像の符号化方式の標準化を進めているISO(国際標準化機構)とITU-T(国際電気通信連合電気通信標準化部門)の合同組織の名称。またはこの組織が制定したカラー静止画像の符号化方式を表わす。  → MPEG

JTAG

  • Joint Test Action Group

JTAGテスト規格。デバイスの全ての外部入出力ピンを順次走査してテストデータの入出力を行い、デバイスの内部やプリント回路基板の動作を試験する。デバイスごとに、入出力端子やテスト用制御回路を設ける必要があり、その規格を規定している。1990年にIEEE1149.1として標準化されている。

K

KGD

  • known good die

テスト・信頼性工程を経て、良品のICチップであることが確認済みの、品質保証されたベアチップのこと。  → チップ、ベアチップ

KrFエキシマレーザ

  • krypton fluoride excimer laser

 ⇒ エキシマレーザ

L

LAN(ラン)

  • local area network

同一建物内あるいは同一敷地内などの比較的狭い地域に分散設置されたサーバやワークステーション(WS)、パソコンなどの各種コンピュータを結ぶ構内ネットワークシステム。イーサネット、トークンリング、FDDI(Fiber Distributed Data Interface)などの規格がある。  → WAN、無線LAN

LCD

  • liquid crystal display

 ⇒ 液晶

LCOS(エルコス)

  • liquid crystal on silicon

プロジェクタなどに用いられる小型の反射型液晶デバイスの構造の一つ。シリコン基板と対向する透明基板の間に液晶を挟みこむ。シリコン基板側に駆動回路と画素電極を設ける。透明基板と液晶層を通過した光は、画素電極で反射される。画素電極の下に回路が作られているため、開口率が高い。

LDD

  • lightly doped drain

MOS FET構造の一種。ソース・ドレイン領域で、ゲート端のチャネル近傍の拡散層の不純物濃度を比較的低濃度に形成した構造。低濃度の部分を設けることで、チャネル層内への空乏層の拡がりを抑え、実効的なチャネル長を長くできる。この結果、電界集中が緩和でき、リーク電流やホットキャリアの発生を抑えることができる。  → ホットキャリア

LDO

  • low drop-out regulator

シリーズレギュレータの一種。入出力電圧差の小さい定電圧直流電源で、携帯機器などに使われる。パルス変調によって電力を制御するスイッチングレギュレータと比べて、リニアに電流電圧を制御するため電源リップルが小さく、また回路電流(回路消費電流)が小さい、回路規模が小さい、外付け部品点数が少ないなどの特長をもつ。一般的に、動作中の回路消費電流においてスイッチングレギュレータが数百μA~数mAに対し、出力パストランジスタとしてMOSタイプを使うと数μAオーダーでの動作が可能。ただし、スイッチングレギュレータの損失がおよそ10%に対し、LDOでは電池電圧と出力電圧の差に応じて電力消費が発生するため、出力電圧、負荷電流によってはスイッチングレギュレータなどとの使い分けが必要。

LED

  • light emitting diode

⇒ 発光ダイオード

LER

  • line edge roughness

微細加工工程において、フォトリソグラフィ現像後やエッチング加工後のパターン側壁端部が凹凸状になり、本来所望の直線形状からずれてばらつく現象。プロセス管理上だけでなく、デバイス特性へも悪影響を与える一要因であり、トランジスタ形成工程と、ヴィアを含む配線工程で問題となる場合が多い。

LIN

  • local interconnect network

車載LANの通信プロトコルの一種。スイッチ入力、センサ入力、アクチュエータ制御など主にボディ系に採用されている。LINコンソーシアムが規格化した。  →CAN、MOST

LOCOS(ロコス)

  • local oxidization of silicon

シリコンIC内の素子間分離に使われる局所酸化膜技術。窒化膜(Si3N4)でIC 素子を作る領域を覆い、高温酸化処理をすると、窒化膜のない領域に酸化膜が作られる。この酸化膜がLOCOSと呼ばれ、隣接素子間の分離に使用される。素子間の距離を短くでき、高集積化に非常に有効な技術である。

Low-k

  • low-dielectric-constant film

低誘電率膜。主に層間の絶縁に使う。ICで最も広く用いられている絶縁膜である二酸化シリコン(SiO2、比誘電率が約4)膜より低い比誘電率をもつ膜の総称。多層配線による信号遅延の問題を避けるため、層間絶縁膜として有機物やポーラス(多孔質)材料まで含めてさまざまな材料、薄膜が開発されている。  → High-k

LTE

  • Long Term Evolution

スーパー3Gともいう。携帯電話の高速なデータ通信仕様の一つで、第3世代携帯電話方式「W-CDMA」の高速データ通信規格「HSDPA」をさらに進化させたもの。下り100Mビット/秒以上、上り50Mビット/秒以上の高速通信の実現を目指したもので、通信標準化団体3GPPにおいて、「LTE」(Long Term Evolution)と呼ばれて標準化が進められている。  → W-CDMA、HSDPA、3GPP

LTPS

  • low temperature poly-silicon

低温多結晶シリコン。TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を形成するシリコン薄膜を、ガラス基板などが変形しない比較的低温で作成する。中小型で高輝度のアクティブマトリクス駆動方式の透過型LCD(液晶ディスプレイ)に採用されている。  → HTPS、TFT

LVDS

  • low voltage differential signaling

差動伝送を行うインタフェース技術。RS-622 準拠。雑音に強く、電圧振幅が小さいので高速伝送が可能になる。通常のシールド銅線で、4Gビット/秒の超高速データが10mまで伝送可能である。伝送する電圧も小さいのでEMI の発生が少なく、周辺の回路に妨害を与えない。高解像度LCD ディスプレイ、プリンタ/コピー機、ルータ/スイッチ用テレコムケーブル、携帯電話の基地局などに利用されている。

LVS

  • layout versus schematic

レイアウト対スケマティック(回路)検証。ICの回路およびマスク設計工程における設計確認用ツールを指す。設計された入力回路図とマスクレイアウトとを信号名などによる検証(照合確認)を行い、マスク設計工程での完成度向上を目指す。

M

MAC層

  • media access control layer

IEEE802.2で規定されているデータリンク層の中に位置する。フレームの送受信を制御するレイヤ。MACアドレスと呼ばれる48ビットの符号を用いたアドレッシング機構を提供する。  → イーサネット、LAN

MCM

  • multi-chip module

同一基板上に2 個以上のICが実装され、そのうち少なくとも1 個はベアチップを使用した機能モジュール。  → ベアチップ

MCP

  • multi-chip package

一つのパッケージに複数のIC チップを搭載したパッケージ。異なる種類のチップや、同種のチップを搭載することによって、実装面積の削減が可能となり、デバイスの大容量化や高機能化が実現できる。  → SiP

MCU

  • microcontroller unit

1 チップ上に中央演算処理装置(CPU)、RAM、ROM、I/Oインタフェース回路などを集積したものでマイクロコンピュータの働きをする。「シングルチップマイクロコンピュータ」あるいは「マイクロコントローラ」ともいう。用途は主に組み込み型のコントローラとして、さまざまな電子機器に内蔵される。4ビットから32ビットまでの幅広いMCUが製品化されている。  → CPU、MPU

MEMS(メムス)

  • micro electro-mechanical system

欧州ではMST(Micro System Technology)とも呼ぶ。シリコンプロセスで培われた微細加工技術を用いて作製された、可動部を含む微小機械システムの総称。電子回路を搭載したものもある。圧力センサ、光通信部品、医療・バイオチップなど幅広い分野で応用が期待されている。マイクロレベルからナノレベルへ進展したNEMS(Nano Electro-Mechanical System)も検討されている。

MIMO(マイモまたはミモ)

  • multiple input multiple output

無線通信で、送受信をそれぞれ複数のアンテナを用いて空間多重伝送によって高速化を実現する技術。分割したデータを同一の周波数を使って、同時に複数の無指向性アンテナから送信する。送られてきた情報は複数のアンテナで受信し、これを連結する。複数のアンテナで受信することで、安定した通信が可能になる。データ伝送速度100Mビット/秒以上を実現する次世代無線LAN 規格「IEEE802.11n」への採用が予定されている。 → IEEE802.11規格、無線LAN

MIPS(ミップス)

  • million instruction per second

コンピュータやマイクロプロセッサの性能を表す単位。1 秒当たりの命令実行回数を100 万回の単位で表現したもの。  → BOPS、FLOPS、MOPS

MMIC

  • monolithic microwave integrated circuits

モノリシックのマイクロ波集積回路。マイクロ波能動・受動素子および素子間を結ぶ配線をガリウムひ素(GaAs)やシリコン(Si)などの半導体基板上に集積化したもの。能動素子としては、主にGaAs MES FET(ショットキーゲート電界効果トランジスタ)、HEMT(高電子移動度トランジスタ)およびHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)が使われる。  → HEMT、GaAs IC

MO-CVD

  • metal organic-chemical vapor deposition

有機金属化学的気相成長法。蒸着したい金属を炭化水素基と結合させ(有機金属)、気化や輸送を容易にする。反応チャンバ内で、プラズマや熱などで反応性ガスを励起し、化学反応を促進する薄膜成長法。  → CVD、プラズマCVD

MOPS(モップス)

  • million operation per second

デジタル信号処理を行うプロセッサなどの性能指標に用いられる単位。1 秒間に実行できる処理の基本単位の数を示す。million = 100 万。なおBOPSのbillionは10億。  → BOPS、MIPS

MOS(モス)

  • metal-oxide-semiconductor

金属酸化膜半導体のこと。シリコン基板などの半導体表面に、酸化膜を介して金属(ゲート)を設けた、金属-酸化膜-半導体の構造。MOS IC の基本トランジスタ構造である。ソースからドレインに移動するキャリアの量(ソースとドレイン間のチャネル電流)を、絶縁体を介してゲート電圧で制御する。なお、MOS 構造を容量(キャパシタ)として使ったのが、DRAMの記憶キャパシタである。

MOS FET

  • MOS field effect transistor

MOS 型電界効果トランジスタ。ソース、ゲート、ドレインの3 電極があり、ゲート電極に加えた電圧によってソースとドレイン間のチャネル電流を制御する。MOSFETにはn型MOS FETとp型MOS FET の2 種類がある。バイポーラトランジスタに比べてチップ内のデバイス占有面積が小さく、製造工程が短いので高集積化に適している。

MOST

  • media oriented systems transport

オーディオなど情報系の車載ネットワーク・プロトコル。欧州車を中心に採用されている。POF(プラスチック光ファイバ)またはUTP(Unshielded Twisted Pair:銅線ケーブル)で伝送する。ストリーミングとパケット、コントロールの3種類のデータタイプに対応し、最大で50Mビット/秒の伝送速度が可能である。  → CAN、LIN、FlexRay?

MP@ML

  • Main Profile @ Main Level

MPEG-2 の機能や画質のレベルを用途に応じて選べるように策定した仕様の一つ。機能の組み合わせを「Profile」、解像度やフレームレートを「Level」で定める。DVD-VIDEOやデジタル放送に活用されている。  → MPEG

MP3

  • MPEG-1 Audio Layer Ⅲ

動画・音声の圧縮技術であるMPEG-1 の音声圧縮技術の一つ。  → AAC

MPEG(エムペグ)

  • Moving Picture Experts Group

カラー動画像蓄積用符号化方式の標準化作業を進める組織、またはその規格の通称。MPEGはISO(国際標準化機構)とIEC(国際電気標準会議)が共同で作業を進めるJTC1(情報処理関連国際標準化技術委員会)の下部組織として、1988 年から活動を開始した。動画伝送時の伝送レートで、MPEG-1、MPEG-2、MPEG-4などがある(MPEG-3はMPEG-2に吸収)。標準化の範囲には、動画像圧縮方式だけでなく、オーディオの符号化、動画像とオーディオの多重・同期を扱うシステム仕様も含まれる。このほか画像データベース化を目的とした「MPEG-7」もある(MPEG-5とMPEG-6は欠番)。  → JPEG

MPEG-4 AVC/H.264

  • MPEG-4 part 10 advanced video coding/H.264

動画/音声圧縮の規格。通信技術の標準化機関ITU-TのVCEG(Video Coding Experts Group)が策定していたH.264と、MPEGを規定しているISO/IECとが共同で策定した国際標準規格。2003年に勧告として承認された。携帯電話などの低速から、Blu-ray DiscやHDTVの高速データ伝送まで幅広く利用されている。  → MPEG

MPU

  • microprocessing unit

マイクロCPUあるいはマイクロプロセッサともいう。マイクロコンピュータの中央演算処理装置(CPU)をIC化したもので、演算や制御機能をもつ。並列処理を行うビット数を付けて「16ビットマイクロプロセッサ」などとよぶ。8ビット、16ビット、32ビット、64ビットのマイクロプロセッサなどがあり、最近は128ビットも製品化されている。命令方式にはCISC、RISC、VLIWがある。  → CPU、CISC、RISC

MRAM(エムラム)

  • magnetic random access memory

磁気不揮発性メモリ。磁気抵抗効果をもつGMR(Giant Magnetoresistance:巨大磁気抵抗)膜やTMR(Tunneling Magnetoresistance:トンネル型磁気抵抗)膜を記憶素子に用いた不揮発性メモリ。GMR やTMR 膜は、スイッチング磁界によって電気抵抗値が大きく変化する。この現象を利用して、電流の切り替えによって発生する磁界をスイッチすることで“0”“1”の状態を実現する。  → GMR、TMR

MTBF

  • mean time between failure

平均故障間隔。故障するまでの動作時間の平均をいい、総動作時間をその期間の総故障数で割った値で示す。機器や電子部品の信頼性を表す尺度の一つで、この値が大きいほど、製品の信頼性は高いといえる。故障率はこの値の逆数になる。  → FIT、MTTF、故障検出率

MTTF

  • mean time to failure

平均故障寿命。修理しない機器や電子部品の故障までの動作平均値をいう。  → FIT、MTBF、故障検出率

N

NAND型フラッシュメモリ

  • NAND-type flash memory

フラッシュメモリの一種。メモリセルの構造が、ビット線に直列に接続された単純な構造のため、NOR型に比べて集積度を上げやすい。データ格納用の大容量メモリとしての用途が多い。  → NOR型フラッシュメモリ

NFC

  • Near Field Communication

短距離無線通信規格。2003年12月にISO/IEC IS 18092として国際標準となった。13.56MHzの電波を使い、10cm程度のごく近距離で106~424kbpsの双方向通信が可能。もともと、非接触式ICカードとして広く普及しているソニーの「FeliCa?」や、Philips社の「Mifare」で使われていた通信方式である。国際標準となったことで、今後はICカードだけでなく、オーディオ機器など一般消費者向けエレクトロニクス製品に普及する可能性がある。 →ICカード、 FeliCa?、 Bluetooth、 ZigBee、 無線LAN

Ni-Cd蓄電池

  • Nickel-Cadmium rechargeable battery

二次電池の一種で、正極に水酸化ニッケル、負極に水酸化カドミウム、電解液に水酸化カリウム水溶液(苛性カリ・KOH aq.)を用いたアルカリ蓄電池。ニカド電池(JIS名称)、ニッカド電池、カドニカ電池(三洋電機の商標)とも呼ばれる。  → NiMH(ニッケル水素蓄電池)、 リチウムイオン電池

NiMH(ニッケル水素蓄電池)

  • nickel metal hydride battery

正極にニッケル、負極に水素吸蔵合金を用いた二次電池。Ni-Cd蓄電池に比較して電力容量が高く、カドミウムを使用しないために環境問題も回避できるという特長がある。課題はNi-Cd蓄電池に比べて製造コストが高いこと。また当初、NiMHはメモリ効果はほとんどないとされていたが、実際にはメモリ効果が起こることが報告されている。  → Ni-Cd蓄電池、 リチウムイオン電池

nMOS(エヌモス)

  • n-channel MOS

n 型(nチャンネル)MOS EFTの略称。基板がp型で構成され、ソースとドレイン部がn 型に作られたMOSデバイス。ソースとドレイン間のチャネル電流が電子(エレクトロン)によって運ばれるので、pMOSより高速である。  → MOS、pMOS

NOR型フラッシュメモリ

  • NOR-type flash memory

フラッシュメモリの一種。メモリセルの構造が、DRAMと同じように並列接続のため、ランダムアクセスが可能。NAND型に比べて高速アクセスが可能で、プログラム格納用メモリとしての用途が多い。  → NAND型フラッシュメモリ

NPT型IBGT

  • non-punch through insulated gate bipolar transistor

 ⇒ノンパンチスルー型IBGT

NTSC

  • National Television System Committee

全米テレビジョン放送方式標準化委員会の略称。同委員会が策定したアナログテレビジョン放送標準方式、とくに1953年に定められたカラーテレビジョン放送方式の規格も、この名称で呼ばれている。

O

OEIC

  • opto electronic integrated circuit

光電子集積回路。光素子と電子素子を同一基板に集積したIC。半導体材料で作られたモノリシック回路であり、一つ以上の発光素子あるいは受光素子と、電気信号を処理する回路を集積したもの、またはこれらの3 者を集積したものを指す。光ファイバ通信の送信用、受信用、中継器用あるいは光ディスク用半導体レーザモジュール(駆動回路内蔵)などがある。

OEM

  • original equipment manufacturing

他社のブランドの製品を製造すること。

OFDM

  • orthogonal frequency division multiplex

直交周波数分割多重。地上デジタル放送や無線LAN などに用いられているデジタル変調方式の一つ。多数のキャリアを用いることで、マルチパスのある伝送路でも比較的安定した通信ができる(フェージングに強い)。しかし、マルチキャリアのために、伝送路に非線形特性があると相互変調による影響がでる。歴史は古く1950 年代に提案され、基本原理の検証は1960年代に終了し、1966 年に米国で特許が成立している。  → CDMA、TDMA

OPC

  • optical proximity correction

 ⇒ 光学近接効果補正

OS

  • operating system

コンピュータシステムでCPUやメモリ、入出力装置(ディスク、グラフィックス、キーボード)などのハードウェア資源の割り当て・管理・アクセス制御などを行い、ハードウェア資源を抽象化する基本ソフトウェア。アプリケーションソフトウェアに対して、コンピュータのハードウェア資源を効率的に使うためのアプリケーション・インタフェース(API)を提供する。Windows、Linux、UNIX、MacOS、TRONなどがある。  → API

OTP

  • one time programmable ROM

ワンタイムPROM。一度しか書き込みができないタイプのプログラマブルROM。ROMライタ/専用ライタで簡単に書き込める。プログラム開発のデバッグ用、試作用に使われている。  → EEPROM、EPROM、PROM

P

PAN

  • personal area network

約10m 以内の狭い範囲内のネットワーク。主に個人が身に付けている電子機器同士で通信を行う。無線ではBluetoothやUWBなどがある。  → Bluetooth、UWB、 ZigBee

PCM

  • pulse code modulation

パルス符号変調。パルス変調の一方法。音声信号などの波形振幅(アナログ量)をサンプリング(標本化)および量子化し、それぞれのサンプル値を2 進数表現の時系列(パルス列)で表わすデジタル表現。その発展形として、各サンプル値の差異に着目して波形を表現するADPCM(adaptive differential pulse code modulation:適応型差分パルス符合変調)方式がある。

PCMCIA

  • Personal Computer Memory Card International

 ⇒ PCカード

PCカード

  • PC card

米国のPCMCIA(ICメモリカード推進団体)と日本電子工業振興協会(JEIDA、現JEITA)が共同で規格化した「PC CardStandard?」に準拠した、クレジットカードサイズの周辺機器の総称。

PDA

  • personal digital assistants

個人向け携帯型情報端末機器。ソフトウェアの追加やカスタマイズが可能で、電子手帳に比べ自由な使い方ができる。

PDC

  • personal digital cellular

日本の標準デジタル携帯電話方式(第2 世代)。商用サービスは1993 年3月に始まった。音声信号の伝送速度は5.6kビット/秒(ハーフレート)または11.2kビット/秒(フルレート)で、データ通信に使える伝送速度は9.6kビット/秒である。

PDP

  • plasma display panel

ガス放電で発生する紫外線で蛍光体を励起し、発光させるディスプレイ。薄さと大画面という特長がある。

PFC

  • perfluoro compounds

パーフルオロ化合物。代替フロンの一つ。米国では、Perfluoro Carbonという場合が多い。この場合は、炭化水素の水素基がフッ素で全て置換された化合物を意味する。半導体業界では幅広く、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、CHF3、SF6、NF3を総称してPFCと呼んでいる。微細加工のためのエッチング工程やCVD 装置の洗浄で使用される重要なガスである。しかし地球温暖化係数が大きいとされ、その排出削減が求められている。  → CVD、エッチング

PFOS

  • Perfluorooctane Sulfonates

パーフルオロオクタンスルホン酸塩(有機フッ素化合物)。撥水剤や界面活性剤、反射防止剤などに使われている。化学的に安定しており(分解されにくく、環境中に残りやすい)、かつ毒性が懸念されており、POPs条約への追加が審議されている。

PGA

  • pin grid array

挿入実装型パッケージの一つ。下面全面にピンが格子状に配列されている。

PHEV

  • plug-in hybrid car

外部充電端子を装備したハイブリッド自動車。通常のハイブリッド自動車より 大容量の充電池を搭載し、モータだけで走行可能な距離を格段に増やしている。  → HEV

PHS

  • personal handyphone system

設備や仕様を簡略化し、通話料を低く押さえた携帯電話の一種。日本で開発された。一つの基地局がカバーする範囲が狭く、端末1台あたりの周波数帯域が携帯電話よりも広い。基地局設備が簡易で安価な点を生かし、地下街や地下鉄駅などでの基地局設置がいち早く進み、都市部では携帯電話よりもつながりやすいという状況が生まれた。今後は次世代PHSの新規格であるXGP(Extended Global Platform)の普及活動に移行する。  → XGP

PIN

  • personal identification number

暗証番号。数字だけで構成される。

PKI

  • public key infrastructure

公開鍵暗号を用いた技術・製品全般を示す言葉。RSA や楕円曲線暗号などの公開鍵暗号技術、SSL(Secure Socket Layer)を組み込んだWeb サーバ/プラウザ、S/MIME(Secure/Multipurpose Internet Mail Extensions)、PGP(Pretty Good Privacy)などを使った暗号化電子メール、デジタル証明書を発行する認証局(CA)構築サーバなどが含まれる。

PL

  • product liability

 ⇒ 製造物責任

PLC

  • power line communication

電灯線通信技術。電力線搬送通信ともいう。電気の配線(電灯線)を通信回線として利用する技術。電灯線に重畳する搬送周波数が10kHz ~ 450kHz では、データ通信速度が9600ビット/秒と遅い。しかし、2MHz~ 30MHz の高周波を使い、数十M ~ 200Mビット/秒のデータ通信を可能にする高速電力線搬送通信(高速PLC)が実現されている。

PLD

  • programmable logic device

ユーザが論理内容を後から設定できるセミカスタムIC。超短納期、少量多品種生産の点で優位性がある。AND ゲート群とOR ゲート群を組み合わせて任意の論理回路を構成する。プログラムデータはSRAM セルもしくはEPROMに保持される。論理回路の構成の仕方によってFPGA、PLA、CPLD、FPL、PALとも呼ばれる。  → FPGA

PLL

  • phase-locked loop

位相同期ループ。正確な周波数追尾を行うためのサーボ回路機構で、位相比較器、ローパス(低域通過)フィルタ、電圧制御発振器(VCO)で構成されている。ビデオのモータなどの精密回転制御、通信機などの変復調、放送受信機などの民生機器に多く利用されている。

pMOS(ピーモス)

  • p-channel MOS

p 型(pチャンネル)MOS FET の略称。基板がn 型で構成され、ソースとドレイン部がp 型に作られたMOS デバイス。チャネル電流は正孔(ホール)によって運ばれる。nMOS に比べて速度が遅いので、単独では高い出力電圧が必要な場合など特殊な用途に使われる。  → nMOS

pn 接合

  • pn junction

同一結晶中で一方がp 型、他方がn 型の構造を有する半導体の接合。

PND

  • personal navigation device、 portable navigation device

小型の携帯型カーナビゲーションまたはナビゲーション機能をもつ小型電子機器のこと。液晶モニタと地図データの記録媒体にフラッシュメモリを使用する。

ppm

  • parts per million

微量含有物の存在比率を表す単位で、100 万個に1 個の割合を示す。なお、ppbは10 億分の1 個の割合。

PROM(ピーロム)

  • programmable read only memory

プログラム可能な読み出し専用メモリ。不揮発性メモリの一つ。IC 完成後に外部から電気的に記憶情報を書き込めるタイプの読み出し専用メモリ。種類として、EEPROM(E2PROM)、EPROM、OTPなどがある。  → EEPROM、EPROM、OTP

PSK

  • phase shift keying

位相偏移変調。搬送波の位相を入力デジタル信号の内容に応じて変化させ、デジタル情報を伝送する。搬送波に対する変調波の位相数に応じて2 相PSK(BPSK)、4 相PSK(QPSK)、8 相PSKなどがある。FSK(Frequency Shift Keying)方式やASK(Amplitude Shift Keying)方式などに比べて同じC/N(Carrier/Noise)比に対する符号誤り率が小さい。  → QAM、 QPSK

PSM

  • phase shift mask

 ⇒ 位相シフトマスク

PT型IBGT

  • punch through insulated gate bipolar transistor

 ⇒ パンチスルー型IBGT

PVD

  • physical vapor deposition

物理的気相成長法。物理的手段(たとえばスパッタリングなど)を用いて材料物質を堆積させる成膜法。これに対するものが化学的気相成長法(CVD)。  → CVD、気相成長、スパッタリング

Q

QAM

  • quadrature amplitude modulation

直交振幅変調。位相と振幅の両方に情報を載せるデジタル変調方式。4 相PSK(QPSK)の変調振幅を2値にしたもの。PSKより電波の利用効率が高い。  → PSK、QPSK

QFP

  • quad flat package

表面実装型パッケージの一つ。パッケージの4 側面すべてからリード端子が出ているタイプ。

QPSK

  • quadrature phase shift Keying

4 相位相偏移変調。4 つの位相(たとえば0 度、90度、180 度、270 度)を用い、2ビットのデジタル信号を1シンボル期間に伝送する。直交する搬送波を用いて2 つのBPSK 波をつくり、それらを合成することでQPSK波を得ることができる。  → PSK、QPSK

QWERTY(クワーティ)

  • QWERTY

19世紀に考案された、一般的な英文タイプライターやコンピュータキーボードのキー配列。英字最上段の文字が左からQWERTYの順に並んでいることから、このような名称が付けられている。

R

RAM(ラム)

  • random access memory

随時書き込み読み出しメモリ。情報を任意のメモリセルに任意の順序で記憶することができ、また任意のメモリセルから同じ速度で記憶情報を読み出すことができる。定期的にリフレッシュ動作が必要なダイナミックRAM(DRAM)や電源を切るまで記憶情報を保持し続けるスタティックRAM(SRAM)などがある。  → DRAM、SRAM

Rambus DRAM、 RDRAM

  • Rambus dynamic random access memory

 ⇒ ラムバスDRAM

RCA 洗浄

  • RCA cleaning

米国RCA 社によって開発された、IC 製造工程における代表的なシリコンウェハ洗浄法。

RET

  • resolution enhancement techniques

解像度向上技術。フォトリソグラフィ工程における微細パターンの忠実性を確保するため、位相シフトマスク(PSM)や光学近接効果補正(OPC)などの技術が用いられているが、これらを指す言葉として総称的にRETと表現される場合が多い。  → リソグラフィ、位相シフトマスク、光学近接補正

RFID

  • radio frequency identification

 ⇒ 無線タグ

RIE

  • reactive ion etching

反応性イオンエッチング。ドライエッチングの一つ。加速イオンによる物理的作用と被エッチング材との化学的作用の両方をエッチングのメカニズムに利用している。  → エッチング

RIMM(リム)

  • Rambus in-line memory module

Rambus DRAMを搭載したメモリモジュール。DIMMに似た形状だが、内部の回路などは全く互換性がない。電圧は2.5Vで、端子数は184ピン。  → ラムバスDRAM

RISC(リスク)

  • reduced instruction set computer

縮小命令セットコンピュータ。CPU の命令を最小限に抑えてハードウェアの負担を軽減し、高速動作を追求したコンピュータ。命令セットは使用頻度の高い基本命令に限定し、命令語長の統一、各命令を同じサイクル時間で実行できるなどの手法をとる。高いMIPS 値が得られる一方で、コンパイラなどソフトウェアへの負担は重くなる。  → CISC

RoHS 指令

  • Directive of the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances

電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限に関する欧州指令。2006 年7月1日に施行。鉛、水銀、六価クロム、カドミウム、ポリ臭化ビフェニル(PBB)、ポリ臭化ジビフェニルエーテル(PBDE)の電気電子機器での含有が制限されている。、均質材料中の鉛、水銀、六価クロム、PBB、PBDEは、重量比0.1 %、カドミウムは重量比0.01 %が最大許容値である。均質材料とは、機械的に異なる材料に分離できないことをいう。この指令には、除外用途が設定されている。

ROM(ロム)

  • read only memory

読み出し専用メモリ。電源を切っても記憶した情報が消えない特徴をもつ。マイクロプログラム、文字パターン、定数などの内容が変化しない情報を記憶するのに使用される。ユーザが情報を自由に書き込めるプログラマブルROM(PROM)と製造工程で書き込み内容が固定されるマスクROMに大別される。  → PROM、マスクROM

RRAM

  • resisitive random access memory

電圧パルスの極性によって抵抗値が変化するマンガン系酸化物などを用いた不揮発性メモリ。高抵抗状態と低抵抗状態を“1”“0”に対応させる。

RTL

  • register transfer level

レジスタ伝送レベル。HDL(Hardware Description Language:ハードウェア記述言語)でハードウェアを記述する抽象レベルの一つ。論理回路をレジスタ間の動作として表現する。IC の設計階層の中で、ゲートレベルよりも上位の記述レベル。記述言語としては、Verilog HDLまたはVHDLを使うことが多い。このほか、RTLよりも抽象度が高いビヘイビアレベル、回路情報に近いゲートレベルがある。  → Verilog HDL、VHDL

S

SDF

  • standard delay format

EDAツール間で取り扱う遅延情報の標準フォーマット(タイミングデータ形式)。ツールや言語から独立した表現(ASCII データ)。素子の遅延時間に加えて、パスの遅延時間や遅延時間の制約条件、配線遅延時間なども扱うことができる。

SDR

  • software defined radio

ハードウエアに変更を加えることなく、1台の無線機のソフトウェアを書き換えることで、携帯電話、PHS、無線LANなど、複数の異なる通信方式の切り替えを可能にする無線通信技術。

SDRAM

  • synchronous DRAM

 ⇒ シンクロナスDRAM

SED

  • surface-conduction electron-emitter display

CRT(ブラウン管)と同様に、電子を真空中に放って格子状に配置されたガラス基板上の蛍光体を励起し、発光させるディスプレイ。

SEM(セム)

  • scanning electron microscope

 ⇒ 走査型電子顕微鏡

SerDes?

  • serializer / deserializer

パラレルをシリアルに変換、またシリアルをパラレルに変換するインタフェース回路のこと。

SiC

  • silicon carbide

炭化ケイ素。パワー半導体の主力材料として期待されている。Siと比較して破壊電界強度が約10倍、飽和ドリフト速度が約2倍、熱伝導度が約2倍で、高温にも強い。高耐圧化、低損失化、高温時の安定動作などの面で物理的に従来のSi半導体よりも優れた性質をもつ。

SICAS

  • Semiconductor International Capacity Statistics

半導体産業におけるキャパシティ(生産能力)や稼働率の統計管理を目的に、世界の5業界団体(EECA、JEITA、KSIA、SIA、TSIA)の支援の下に、1994年に活動を開始した。現在世界の主要半導体メーカ32社が会員として参加している。

SiGe?

  • silicon germanium

シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)の固溶体である混晶半導体。Siより禁制帯幅が狭く、電子移動度が大きい特長をもつ。また、シリコンバイポーラトランジスタと比べてより高速動作が可能である。

SIMD

  • single instruction multiple data

単一命令複数データ処理。一つの命令で複数のデータを同時に処理する方式。例えば一つの加算命令で2つのデータ組(A1、A2)、 (B1、B2)の要素同士の加算A1+B1、 A2+B2を同時に処理することで性能向上する方式。データ組(A1、A2)、(B1、B2)はそれぞれ一つのレジスタ上に分割して配置され、データ並列度は2~8のSIMD方式が実用化されている。

SIMM(シム)

  • single in-line memory module

DRAMなどを複数個を基板に実装したJEDEC 規格のメモリモジュール。32ビット単位でデータの読み書きを行い、表と裏の端子は結線されている。PC-AT互換機では、72ピンの32ビットデータ幅が使われている。  → DIMM、JEDEC

SiO2

  • Silicon dioxide

 ⇒ 二酸化シリコン

SiP

  • system in package

パッケージの中に所望のメモリやマイコン、受動部品を複数搭載し、内部を三次元的に接続することで所望のシステムを実現したもの。  → MCM、MCP

SMD

  • surface mount device

表面実装型部品。SMTと同義語で使われることがある。  → SMT

SMIF(スミフ)

  • standard of mechanical interface

ウェハカセットの搬送・保管用のケース(ポッド)。この中に収納したウェハはクリーン度を保つことができる。高度なクリーンルーム内でなくてもIC の製造(前工程)が可能になる。このため「局所クリーン化技術」ともよばれる。  → FOUP、クリーンルーム

SMPTE VC-1

  • Society of Motion Picture and Television Engineers VC-1

米Microsoft社が開発した動画像圧縮方式である「Windows Media Video 9」をSMPTE(Society of Motion Picture and Television Engineers:米国映画テレビ技術者協会)が規格化したもの。MPEGなどと同様に、復号処理(デコーダ)の設計に関する規格として標準化されており、符号化処理(エンコーダ)に関しては言及していない。  → MPEG

SMT

  • surface mount technology

面実装技術。基板表面に電子部品やICを実装する技術。部品のリード(端子)を基板に挿入しない。電子機器の小型、軽量、薄型化に対応する。これに対応した部品を面実装部品(SMD:Surface Mount Device)という。  → SMD

SMT

  • simultaneous multi threading

一つのCPU で、複数の実行スレッドを同時に実行するプロセッサの機能。

SoC

  • system on a chip

 ⇒ システムLSI

SOG

  • sea of gate

自由にゲート領域と配線領域を構成できる構造のゲートアレイ。チップ全面にトランジスタを海のように敷き詰めているので「Sea of Gate」あるいは「チャネルレス型ゲートアレイ」と呼ばれている。RAM やROMを効率よく内蔵し、ランダム論理だけでは回路が構成しにくい大規模回路などに利用される。  → ゲートアレイ

SOI

  • silicon on insulator

シリコン酸化膜(SiO2)などの絶縁膜の上にSi 層を形成した構造。そこにICをつくる。サファイアの表面にシリコン単結晶を気相成長させたSOS(Silicon onSapphire)が最初の試み。サファイア基板上の薄膜Si 層をレーザ光などで単結晶化し、ICを作り込む。このほか、酸化膜を介してSi 基板同士を貼り合わせる方法や、Si 単結晶基板に酸素イオンを打ち込みSiO2 層を形成するSIMOX( Separation by Implanted Oxygen)法などが実用化された。SOI デバイスは低消費電力、高速動作に適している。

SOR

  • synchrotron orbital radiation

 ⇒ シンクロトロン

SPC

  • statistical process control

統計的工程管理。製造工程の各チェックポイントで収集された膨大なデータをコンピュータで統計的処理を行い、製造条件や各工程でのIC のでき栄えの推移(傾向)をモニタ管理するシステム。CIMと連動して自動データ収集、統計処理、判断、指示を行うものもある。

SpecC(スペックC)

  • SpecC

ソフトウェア開発言語であるC 言語をもとに、ハードウェア設計に必要な並列性や時間情報が記述可能な構文を追加した言語。STOC(SpecC Technology Open Consortium)が標準化を進めている。

SPICE(スパイス)

  • simulation program with integrated circuit emphasis

IC 用の回路シミュレータ。1975 年に米University of California、Berkeley校で開発された汎用回路解析(アナログ)プログラム。トランジスタ、抵抗、コンデンサなど対象回路を構成する素子レベルの回路情報をもとに、その回路の挙動をシミュレーションする。解析手法には、直流(DC)解析、交流(AC)解析および過度解析がある。

SRAM(エスラム)

  • static random access memory

スタテックRAM。記憶保持動作(リフレッシュ動作)が不要な随時書き込み読み出しメモリ。メモリセルがフリップフロップ回路で構成されており、一度書き込まれた情報は電源を切るまで消えない。SRAMは動作タイミングが容易で、高速性能も得られやすい。このため、高速を要求するキャッシュメモリや小型電子機器に使用される。メモリセルがDRAM 構造でリフレッシュ用の補助回路を内蔵した疑似SRAM(Pseudo SRAM)がある。  → DRAM

SSD

  • solid state disk、 solid state drive

記憶媒体としてフラッシュメモリを用いるドライブ装置。ハードディスクドライブ(HDD)と同じ接続インタフェース(ATA規格)を持っており、HDDに代わる高速ストレージとして注目されている。  → NAND型フラッシュメモリ

SSP

  • simple secure pairing

機器同士を接続するために必要な相互認証(ペアリング)技術の一つ。Bluetoothでは、接続シーケンスごとに6桁のパスキー(PINコード)が自動設定され、従来のように4桁以上の数字を一定時間以内に入力する必要はない。NFC(Near Field Communication)技術が実装され、機器同士を近づけるだけで相互に認証を行うことができる。なお、PIN(Personal Identification Number)は、暗証番号のこと。  → Bluetooth、NFC

STA

  • static timing analysis

ICの設計工程で行なわれる静的なタイミング解析のこと。外部からのテストパターンを必要とせず、想定しうる全ての信号伝達経路の遅延を足し合わせることによって、遅延時間が最大となる径路(クリティカルパス)や最小となる径路などを分析できる。これらがタイミング仕様を満足しているかどうかで設計を検証する。

STB

  • set-top box

一般には、ビデオオンデマンドや映像版ホームショッピングなど、双方向マルチメディア通信サービスを利用する場合に必要な家庭用通信端末を指す。テレビセットの上に置いて利用する箱(端末)という意味でこう呼ばれる。最近のSTBでは地上波デジタルやBS放送も鑑賞できるようになっている。

STI

  • shallow trench isolation

素子分離方法の一種。シリコン基板表面にドライエッチングで溝を形成した後、CVDなどの工程によって絶縁膜を堆積し、それをCMPなどで平坦化して素子分離を行う技術。LOCOSに比べて分離領域を小さくすることが可能である。しかし、溝を形成する基板表面に欠陥を生じさせない工夫が必要。  → ドライエッチング、CVD、CMP、LOCOS

STRJ

  • Semiconductor Technology Roadmap Committee of Japan

将来の半導体技術見通しに関する情報や目標実現のための課題などについての認識や共有化を目的に、1998年にEIAJ(現JEITA)に組織された委員会。半導体関連業界団体や大学・国立研究機関を含めて広範囲に活動が行われている。  → ITRS

Super 3G

  • super 3rd generation

 ⇒ LTE

SystemC

  • SystemC

ソフトウェア開発言語であるC++ 言語のクラスライブラリによって、ハードウェア設計に必要な並列性や時間情報を記述可能とした言語。OSCI(Open SystemC Initiative)によって標準化が進められている。  → C言語、SpecC

SystemVerilog?

  • SystemVerilog?

Verilog-HDLをシステム設計用に発展させた言語。検証用言語やシステム記述向け言語を追加し記述量の削減や曖昧性の削除を行った。2005年にIEEE1800として標準化された。  → Verilog-HDL

T

TAB(タブ)

  • tape automated bonding

IC チップをテープキャリアに張り付けるIC 実装技術。IC上に形成したバンプ電極をテープキャリアのインナリードと熱圧着する方式。IC パッドを一括接続するギャングボンディング方式と1 パッドずつ接続するシングルポイントボンディング方式がある。広義には、樹脂封止やテスティングも含める場合がある。  → TCP

TAT(タット)

  • turn around time

受注から製品供給までの所要時間(日数)のこと。TAT 短縮は、設計・製造などあらゆる部門で合理化目標の一つとして追及されている。

TCP

  • tape carrier package

IC チップをテープフィルムと接続し、樹脂で封止するTAB(tapeautomated bonding)技術を用いたパッケージ。TCPはプラスチックパッケージに比べて多端子・薄型化が可能である。  → TAB

TDMA

  • time division multiple access

時分割多元接続。PHSの無線アクセス方式や高速LAN で採用されている通信制御方式の一つ。時間をごく短い一定時間ごとに分割し(タイムスロット)、それを無線局(LANではノード)ごとに割り当てることによって、複数の局(ノード)が同じ周波数や回線を使って、同時に通信できる方式。  → CDMA、FDMA、W-CDMA

TEG(テグ)

  • test element group

特性評価用素子。ウェハ上にチップと同様に作ることが多い。

TFT

  • thin film transistor

薄膜トランジスタ。ガラスなどの絶縁基板上にCVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)技術やスパッタリング技術で形成したトランジスタ。構造は通常のMOSトランジスタと同じ。シリコン単結晶を用いる通常のトランジスタやICと区別するために薄膜トランジスタと呼ぶ。薄膜にはアモルファスシリコンや多結晶シリコンが使われる。単結晶シリコンに比べて移動度は小さい。しかし、大面積化が可能といった利点を生かして、LCD の画素スイッチなどに使用される。最近ではペンタセンなど有機材料を用いた有機TFTも開発されている。  → CVD、HTPS、LTPS

TLM

  • transaction level modeling

IC設計の中の抽象度が高いレベルのシミュレーションモデルの一つ。機能ブロックを入出力端子間の読込み/書込み動作(トランザクション)の精度で表現することで、RTLよりも高速なシミュレーションを行うことができる。

TMR

  • tunneling magneto resistance

トンネル型磁気抵抗。十分薄い絶縁層を挟んだ強磁性体の両端に電圧を加えると、トンネル効果によって電子が絶縁層を通過できる。この状態で外部磁界を変化させると電気抵抗が急激に変化する。これがスピントンネル磁気抵抗効果(Spin Tunneling Magnetoresistive Effect)である。現行のGMR 素子に対して、MR 比(磁場をかけたときに抵抗変化する比率)が高まるため、将来のHDD ヘッドだけでなく、磁気不揮発性メモリ(MRAM)、スピンエレクトロニクス素子への応用が期待されている。  → MRAM、GMR

TRON(トロン)

  • The Realtime Operating System Nucleus

ノイマン型の計算機アーキテクチャを再検討して考案された新しいアーキテクチャ体系。東京大学の坂村健教授のTRON構想に基づいて、TRON協会が中心になって規格化された。組み込みシステム向けのリアルタイムOSとして多く利用されている。デジタル家電などに使われている「ITRON」、それを実装しやすくした「μITRON」、パソコン向けの「BTRON」、通信機器用の「CTRON」、さらにリアルタイムシステム向けの標準開発プラットフォーム「T-Engine」などもある。多漢字・多国語処理が可能なOSとしても注目されている。

TSV

  • through-silicon via

パッケージ内に、複数のチップを積層し封止するためのシリコン基板を貫通する電極(上下方向の配線構造:ヴィア)のこと。積層した半導体チップを貫通する孔を形成し、そこに銅などの金属を堆積して電極を形成することで、パッケージの基板部分まで短距離接続配線を行う。積層チップ間を最短距離で接続できることで、高機能・高速動作のICシステムの実現が可能となる。

U

UML

  • Unified Modeling Language

オブジェクト指向の統一モデリング言語(記述言語)。システム仕様をプログラムする場合の統一表記法。1997年11月にOMG(Object Management Group)によって認定された。システムLSIなどの設計にも利用されている。

USB

  • universal serial bus

周辺装置を接続するためのパソコン向けインタフェース仕様。マウスやキーボード、プリンタ、モデム、可搬型記憶装置、スピーカ、ジョイスティックなどのインタフェースの共通化を狙う。パソコン本体がUSBコネクタを一つ備えるだけで、各種の周辺装置をスター状に最高127 台まで接続できる。フラッシュメモリを内蔵した、いわゆる「USBメモリ」も普及している。  → IEEE1394

USIC(ユーシック)

  • user specific integrated circuit

 ⇒ ASCP

UV-EPROM(ユーブイイーピーロム)

  • ultra violet erasable and programmable read only memory

記憶内容が電気的に書き込み可能で、紫外線を当てて消去が可能な不揮発性メモリ。紫外線を照射するために、IC パッケージには石英ガラスの窓がある。記憶の消去は全ビット一括。窓のない通常パッケージに実装したものをOTPROM(One Time PROM)という。  → EEPROM

UVリソグラフィ

  • ultra violet light lithography

 ⇒ 紫外線露光

UWB

  • ultra wideband

中心周波数の25%以上、あるいは1.5GHz以上の周波数帯域をもつ通信システム。米国では3.1GHz~10.6GHzを14バンドに分割して、1バンドあたり528MHzを割り当て、さらに5チャネルにグループ化している(日本では7.2GHz~10.2GHz)。信号電波を非常に広い周波数帯に拡散させることで、非常に小さな出力レベルで100Mビット/秒以上の高速通信が可能になる。それぞれの周波数帯に送信されるデータはノイズ程度の強さしかなく、消費電力も少ない。位置測定、レーダー、無線通信の3つの機能を合わせもつという特長がある。ワイヤレスUSBには、この技術が使われている。  → 無線LAN、Bluetooth

V

Verilog-HDL(ベリログ-エッチディーエル)

  • Verilog-hardware description language

ハードウェア記述言語(HDL:Hardware Description Language)の一つ。VHDL(VHSIC Hardware Description Language)と並んで、多くのICメーカなどで使われている。プログラミング言語の一つであるC 言語と記述ルールが似ているため、修得が比較的容易である。またVHDLと比べて記述が簡潔なため、記述量も少なくて済むといわれる。1995年にIEEE1364として標準化された。  → VHDL、ハードウェア記述言語

VHDL

  • VHSIC hardware description language

ハードウェア記述言語(HDL)の一つ。米国国防総省が1980 年から実施したVHSIC(Very High Speed Integrated Circuit)プロジェクトの成果として生まれたことから、この名前が付いている。ほぼすべてのハードウェア記述に対応できる。1987 年にIEEE1076として標準化されており、広く使われている。  → Verilog-HDL、ハードウェア記述言語

VLIW

  • very long instruction word

命令長が128ビット以上で、複数の処理を並列に高速実行するマイクロプロセッサのアーキテクチャ。  → CISC、RISC

VMOS

  • v-groove MOS

縦型V 溝MOS FET。シリコン(Si)単結晶基板表面にV 型の溝を形成して、溝に沿ってゲート酸化膜およびゲート電極を設け、ソース電極を表面に、ドレイン電極を裏面に形成する。オン抵抗が小さいのが特徴。パワーMOS FETに利用される。

VoIP

  • voice over internet protocol

インターネットやイントラネットなどのTCP/IPネットワークを使って音声データを送受信する技術。社内LANを使った内線電話や、インターネット電話などに応用されている。  → IP、 LAN

VPE

  • vapor phase epitaxy

 ⇒ 気相成長

VPN

  • virtual private network

仮想プライベートネットワーク。公衆回線をあたかも専用回線であるかのように利用できるサービス。インターネットを介する「インターネットVPN」、通信事業者の提供するIP網を利用する「IP-VPN」などがある。  → IP(Internet Protocol)

VSB

  • vestigial side band modulation

残留側波帯変調。

W

WAN(ワン)

  • wide area network

広域ネットワーク。閉じられた狭い範囲ではなく、非常に広い範囲にわたって結ばれたネットワークを指す。公衆回線や専用線を用いて、広域に端末装置を設置したり、離れた場所にある複数のLANを接続したりするネットワーク。  → LAN

WAP(ワップ)

  • wireless application protocol

携帯電話機や携帯情報端末など表示画面に限りのある携帯端末からインターネットに無線アクセスし、ブラウザで表示するためのプロトコル。WAPフォーラムが仕様を作成した。記述言語は、HTML(Hypertext Markup Language)に代えてWML(Wireless Markup Language)を採用している。  → WML

W-CDMA

  • wideband-CDMA

広帯域CDMA。CDMA(Code Division Multiple Access:符号分割多元接続)方式の移動通信システムをマルチメディアに対応できるように広帯域化した第3世代携帯電話の通信方式。  → CDMA

WEEE 指令

  • Directive of the Waste Electrical and Electronic Equipment

廃電気電子機器に関する欧州指令。2005年8月に施行された。生産者が回収・リサイクルの費用を負担する。上市される電気電子機器には、WEEE 対象のラベル表示が求められる。具体的な規制内容は、国ごとに異なるので、国ごとに確認する必要がある。

Wibree(ウィブリー)

  • Wibree

フィンランドNokia社が開発した近距離向け無線規格。伝送距離は最大10m、データ伝送速度は最大1Mビット/秒。低消費電力を特徴としている。2007年6月にWibree Forumは、Bluetoothの推進団体SIG(Bluetooth Special Interest Group)に合流し、WibreeはBluetoothの超低消費電力通信用仕様として再定義されることになった。当初からのWibree仕様「スタンドアロン実装」と、Bluetoothと共用する「デュアルモード実装」がある。  → Bluetooth

Wi-Fi Alliance(ワイファイ・アライアンス)

  • Wireless Fidelity Alliance

IEEE によって標準化された無線LAN の規格IEEE 802.11規格群を推進し、無線LAN機器のベンダ間の互換性認証を行うための業界団体。  → IEEE、IEEE802.11規格

WiMAX

  • worldwide interoperability for microwave access

半径約50kmをカバーし、最大70Mビット/秒の無線データ通信を可能にする無線通信の規格。2003年1月にIEEEで固定無線通信の標準規格として承認された。使用周波数帯と伝送方式はIEEE802.16aを用いる(2G~11GHz)。

WiMedia?

  • WiMedia?

WiMedia? Allianceが規格を策定、高速無線のUWB規格に準拠、ハイビジョン映像の無線伝送に対応している。伝送距離が5mで、480Mビット/秒の高速通信を実現している。  → UWB

WIPO(ワイポ)

  • World Intellectual Property Organization

世界知的所有権機関。本部はジュネーブにある。WIPOは、①全世界にわたって知的所有権の保護を促進すること、②知的所有権関係の諸同盟の管理を近代化し能率化するため同盟間の行政的協力を確保すること、を目的として、1967年に設立された。

WMA

  • Windows Media Audio

マルチメディア圧縮フォーマット「Windows Media Technologies」に含まれる音楽用圧縮フォーマット。インターネットでの配信を主目的に開発されており、著作権保護に関する仕組みにも対応している。  → MP3

WPAN

  • wireless personal area network

無線を利用したPAN(Personal Area Network)のこと。無線免許が不要な60GHzのミリ波を利用した無線伝送の規格作りが進められている。標準化のためのIEEE802.15.3cWGが活動しており、応用例として、ハイビジョン映像の非圧縮伝送がある。  → PAN

WSC

  • World Semiconductor Council

世界半導体会議。各国の半導体工業会が参加する会議の名称。1997 年から年1 回開催されている。現在の参加工業会は米国、欧州、日本、韓国、台湾、中国の6 工業会。あわせて、GAMS(半導体に関する政府/当局会議:Governments/Authorities Meeting on Semiconductors)も年1 回開催される。WSCからGAMSに対して提言が行われ、GAMS はこの提言を審議しWSCにフィードバックする。

WSTS

  • World Semiconductor Trade Statistics

1984 年に設立された『世界半導体市場統計』。世界の主要半導体メーカ66社(うち日本19 社。2008 年12月現在)が参加している半導体出荷データの統計機関。

WTO

  • World Trade Organization

WTO(世界貿易機関)は、自由貿易促進を主たる目的として作られた国際機関。常設事務局がスイスのジュネーヴに置かれている。

X

X 線リソグラフィ

  • X-ray lithography

 ⇒ リソグラフィ

xDSL

  • x digital subscriber line

メタリック加入者線を使って高速データ伝送をする技術の総称。ADSL(Asymmetric DSL)、HDSL(High-bit-rate DSL)、SDSL(Symmetric DSL)、VDSL(Very High-bit-rate DSL)などがある。ADSLは上りチャネルと下りチャネルの伝送速度が異なる非対称であるが、SDSLは伝送速度を上り/下り同じにした対称方式。既存の電話回線をそのまま使用して電話局側と加入者側に対応装置を設置するだけで、デジタル回線並みに高速通信が可能となる。

XGP

  • extended global platform

次世代PHSのこと。ウィルコムが2009年4月のサービス開始を予定している。2.5GHz帯を使用し、帯域幅は10MHz。最大データ伝送速度は29.2Mビット/秒(実効約20.4Mビット/秒)。最大通信距離は約15km。多重化方式はOFDMA+TDMA。

XML

  • extensible markup language

HTML(Hyper Text Markup Language)に代わるものとして標準化されている記述言語。HTML で普及したリンク(関連づけ)機能などを拡張するとともに、SGML(Standard Generalized Markup Language)をインターネット向けに最適化した。HTMLとSGMLの長所をあわせもつ。互換性があるので、ECなどの商取引やデータベースなどの記述にも採用が増えている。

Z

ZigBee(ジグビー)

ZigBee Alliance Inc.」が規格化を進めている省電力、低コストを追求した通信規格。2.4GHz帯を使用し、通信速度は最大250kビット/秒、通信距離は、10~100m程度である。マルチホップが可能で、センサネットワークへの適用が期待されている。  → マルチホップ、Bluetooth

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Last-modified: 2017-03-28 (火) 13:28:59 (1193d)